IXFN44N80 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IXFN44N80. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFN44N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B
 

 Аналог (замена) для IXFN44N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN44N80 даташит

 ..1. Size:138K  ixys
ixfn44n80.pdfpdf_icon

IXFN44N80

IXFN 44N80 VDSS = 800 V HiPerFETTM ID25 = 44 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.165 Single MOSFET Die D N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V E153432 S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V G VGS Continuous 20 V VGSM Tran

 7.1. Size:162K  ixys
ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdfpdf_icon

IXFN44N80

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

 7.2. Size:128K  ixys
ixfn44n60.pdfpdf_icon

IXFN44N80

HiPerFETTM IXFN 44N60 VDSS = 600 V Power MOSFETs ID25 = 44 A Single Die MOSFET RDS(on) = 130 mW D trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V S I

 7.3. Size:108K  ixys
ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdfpdf_icon

IXFN44N80

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

Другие MOSFET... IXFN34N80 , IXFN36N100 , IXFN36N60 , IXFN39N90 , IXFN44N50 , IXFN44N50U2 , IXFN44N50U3 , IXFN44N60 , IRF840 , IXFN48N50 , IXFN48N50U3 , IXFN50N50 , IXFN55N50 , IXFN60N60 , IXFN73N30 , IXFN80N50 , IXFN90N30 .

History: IRFB3307Z

 

 

 


 
↑ Back to Top
.