Справочник MOSFET. IXFN44N80

 

IXFN44N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFN44N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 380 nC
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXFN44N80

 

 

IXFN44N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  ixys
 ixfn44n80.pdf

IXFN44N80 IXFN44N80

IXFN 44N80 VDSS = 800 VHiPerFETTMID25 = 44 APower MOSFETsRDS(on) = 0.165 Single MOSFET DieDN-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)VDSS TJ = 25C to 150C 800 V E153432SVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VGVGS Continuous 20 VVGSM Tran

 7.1. Size:162K  ixys
 ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf

IXFN44N80 IXFN44N80

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 7.2. Size:128K  ixys
 ixfn44n60.pdf

IXFN44N80 IXFN44N80

HiPerFETTMIXFN 44N60 VDSS = 600 VPower MOSFETsID25 = 44 ASingle Die MOSFET RDS(on) = 130 mWDtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 BE153432VDSS TJ = 25C to 150C 600 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VSI

 7.3. Size:108K  ixys
 ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf

IXFN44N80 IXFN44N80

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 7.4. Size:151K  ixys
 ixfn44n50u2-u3 ixfn48n50u2-u3.pdf

IXFN44N80 IXFN44N80

VDSS ID (cont) RDS(on) trrHiPerFETTM500 V 44 A 0.12 W 35 nsIXFN44N50U2 IXFN44N50U3Power MOSFETsIXFN48N50U2 IXFN48N50U3 500 V 48 A 0.10 W 35 ns3 3Buck & Boost Configurations forPFC & Motor Control Circuits422Preliminary data411miniBLOC, SOT-227 BSymbol Test Conditions Maximum Ratings1VDSS TJ = 25C to 150C 500 V2VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 5

Другие MOSFET... IXFN34N80 , IXFN36N100 , IXFN36N60 , IXFN39N90 , IXFN44N50 , IXFN44N50U2 , IXFN44N50U3 , IXFN44N60 , 20N60 , IXFN48N50 , IXFN48N50U3 , IXFN50N50 , IXFN55N50 , IXFN60N60 , IXFN73N30 , IXFN80N50 , IXFN90N30 .

 

 
Back to Top