STF32NM50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF32NM50N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 179 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de STF32NM50N MOSFET
STF32NM50N Datasheet (PDF)
stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf
STB32NM50N, STF32NM50N,STP32NM50N, STW32NM50NN-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS ID PTOT2max.3132STB32NM50N 190 W1DPAKTO-220FPSTF32NM50N 35 W500 V 0.13 22 ASTP32NM50N 190 WTABSTW32NM50N 190 W 100% avalanche t
stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf
STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V
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History: CS8N50FA9R | SDM9435A
History: CS8N50FA9R | SDM9435A
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