STF32NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STF32NM50N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 179 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Encapsulados: TO-220FP
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STF32NM50N datasheet
stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf
STB32NM50N, STF32NM50N, STP32NM50N, STW32NM50N N-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in D PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages Datasheet production data Features TAB RDS(on) Order codes VDS ID PTOT 2 max. 3 1 3 2 STB32NM50N 190 W 1 D PAK TO-220FP STF32NM50N 35 W 500 V 0.13 22 A STP32NM50N 190 W TAB STW32NM50N 190 W 100% avalanche t
stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf
STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5 STP32N65M5, STW32N65M5 N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS@ Type RDS(on) max ID TJmax 3 3 1 2 3 1 2 STB32N65M5 710 V
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History: JMSL1040AGD | KO3402
History: JMSL1040AGD | KO3402
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