STF32NM50N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STF32NM50N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для STF32NM50N
STF32NM50N Datasheet (PDF)
stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf

STB32NM50N, STF32NM50N,STP32NM50N, STW32NM50NN-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS ID PTOT2max.3132STB32NM50N 190 W1DPAKTO-220FPSTF32NM50N 35 W500 V 0.13 22 ASTP32NM50N 190 WTABSTW32NM50N 190 W 100% avalanche t
stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V
Другие MOSFET... STF28NM60ND , STF2LN60K3 , STF2N80K5 , STF2N95K5 , STF30N10F7 , STF30NM60N , STF30NM60ND , STF31N65M5 , EMB04N03H , STF33N60M2 , STF33N65M2 , STF34N65M5 , STF38N65M5 , STF3HNK90Z , STF3N80K5 , STF40N20 , STF40N60M2 .
History: 60N10F | CEU05N65 | SEFY140C | SI2302A | IRF720LPBF | APT56F60B2 | APM2317
History: 60N10F | CEU05N65 | SEFY140C | SI2302A | IRF720LPBF | APT56F60B2 | APM2317



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor