IXFN73N30 Todos los transistores

 

IXFN73N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFN73N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT227B

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IXFN73N30 datasheet

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 ixfk73n30 ixfn73n30.pdf pdf_icon

IXFN73N30

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK 73 N 30 300 V 73 A 45 m Power MOSFETs IXFN 73 N 30 300 V 73 A 45 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN

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 ixfn72n55q2.pdf pdf_icon

IXFN73N30

HiPerFETTM VDSS = 550 V IXFN 72N55Q2 Power MOSFET ID25 = 72 A RDS(on)= 72 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr Preliminary Data Sheet miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 550 V VDGR TJ = 25 C to 150

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 ixfn70n60q2.pdf pdf_icon

IXFN73N30

HiPerFETTM VDSS = 600 V IXFN 70N60Q2 Power MOSFET ID25 = 70 A RDS(on)= 80 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr Preliminary Data Sheet miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150

Otros transistores... IXFN44N50U3 , IXFN44N60 , IXFN44N80 , IXFN48N50 , IXFN48N50U3 , IXFN50N50 , IXFN55N50 , IXFN60N60 , IRFZ44 , IXFN80N50 , IXFN90N30 , IXFR10N100Q , IXFR120N20 , IXFR12N100Q , IXFR15N80Q , IXFR180N07 , IXFR180N085 .

 

 

 

 

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