IXFN80N50 Todos los transistores

 

IXFN80N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFN80N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 780 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B
 

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IXFN80N50 Datasheet (PDF)

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IXFN80N50

IXFN 80N50 VDSS = 500 VHiPerFETTMID25 = 80 APower MOSFETsRDS(on) = 55 mSingle Die MOSFETD trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrGSSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VG

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IXFN80N50

IXFN 80N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 66 APower MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VS

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 ixfn82n60p.pdf pdf_icon

IXFN80N50

IXFN 82N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 82 APower MOSFET RDS(on) 75 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VSGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600

Otros transistores... IXFN44N60 , IXFN44N80 , IXFN48N50 , IXFN48N50U3 , IXFN50N50 , IXFN55N50 , IXFN60N60 , IXFN73N30 , IRFP460 , IXFN90N30 , IXFR10N100Q , IXFR120N20 , IXFR12N100Q , IXFR15N80Q , IXFR180N07 , IXFR180N085 , IXFR180N10 .

History: IRFL9014 | IXFR24N100 | PTP04N04N

 

 
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