IXFN90N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFN90N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 360 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN90N30

IXFN90N30 Datasheet (PDF)

..1. Size:124K ixys
ixfn90n30.pdf

IXFN 90N30 VDSS = 300 VHiPerFETTMPower MOSFETs ID25 = 90 ARDS(on) = 33 mSingle Die MOSFETDN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, High dv/dt, Low trrGPreliminary DataSSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 300 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RG

7.1. Size:112K ixys
ixfk100n20 ixfn90n20 ixfn106n20.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK 90 N 20 200 V 90 A 23 mWPower MOSFETsIXFN 100 N 20 200 V 100 A 23 mWIXFN 106 N 20 200 V 106 A 20 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AA (IXFK)IXFK IXFN IXFN90N20 100N20 106N20VDSS TJ = 25C to 150C 200 200 200 VG (TAB)VDGR TJ = 25C t

9.1. Size:174K ixys
ixfn94n50p2.pdf

Advance Technical InformationPolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFN94N50P2Power MOSFET ID25 = 68A RDS(on) 55m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeminiBLOCE153432SSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: