IXFN90N30 Todos los transistores

 

IXFN90N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFN90N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: SOT227B

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IXFN90N30 datasheet

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IXFN90N30

IXFN 90N30 VDSS = 300 V HiPerFETTM Power MOSFETs ID25 = 90 A RDS(on) = 33 m Single Die MOSFET D N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr G Preliminary Data S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RG

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IXFN90N30

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK 90 N 20 200 V 90 A 23 mW Power MOSFETs IXFN 100 N 20 200 V 100 A 23 mW IXFN 106 N 20 200 V 106 A 20 mW N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXFK) IXFK IXFN IXFN 90N20 100N20 106N20 VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 200 200 V G (TAB) VDGR TJ = 25 C t

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IXFN90N30

Advance Technical Information PolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFN94N50P2 Power MOSFET ID25 = 68A RDS(on) 55m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode miniBLOC E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1

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