STFI13N80K5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STFI13N80K5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: I2PAKFP

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STFI13N80K5 datasheet

 ..1. Size:1020K  st
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STFI13N80K5

STFI13N80K5 N-channel 800 V, 0.37 typ.,12 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I PAKFP package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) ID PTOT STFI13N80K5 800 V 0.45 12 A 35 W Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate Industry s lowest RDS(on) x area 1 2 3 Industry s best figure of

 7.1. Size:776K  st
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STFI13N80K5

STFI13NM60N N-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmesh II Power MOSFET in I PAKFP package Datasheet production data Features VDSS RDS(on) Type ID PTOT (@Tjmax) max STFI13NM60N 650 V

 7.2. Size:1131K  st
stf13n60m2 stfi13n60m2.pdf pdf_icon

STFI13N80K5

STF13N60M2, STFI13N60M2 N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STF13N60M2 650 V 0.38 11 A STFI13N60M2 3 2 Extremely low gate charge 1 1 2 3 TO-220FP Lower RDS(on) x area vs previous generation I2PAKFP Low gate input r

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