STFI6N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STFI6N80K5
   Código: 6N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STFI6N80K5

STFI6N80K5 Datasheet (PDF)

..1. Size:816K st
stf6n80k5 stfi6n80k5.pdf

STF6N80K5, STFI6N80K5N-channel 800 V, 1.3 typ., 4.5 A MDmesh K5Power MOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on)max ID PTOTSTF6N80K5800 V 1.6 4.5 A 25 WSTFI6N80K53211 Industrys lowest RDS(on)23TO-220FP2 Industrys best figure of merit (FoM)I PAKFP Ultra low gate charge 10

8.1. Size:1046K st
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STF6N62K3, STFI6N62K3, STI6N62K3,STP6N62K3, STU6N62K3N-channel 620 V, 0.95 typ., 5.5 A SuperMESH3 PowerMOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PTOT33STF6N62K3 30 W2 211STFI6N62K3 30 WTO-220FPIPAKSTI6N62K3 620 V

8.2. Size:901K st
stf6n65k3 stfi6n65k3 stu6n65k3.pdf

STF6N65K3, STFI6N65K3, STU6N65K3N-channel 650 V, 1.1 typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAKDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PtotSTF6N65K3TAB30 WSTFI6N65K3 650 V

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