STFI7N80K5 Todos los transistores

 

STFI7N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STFI7N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP
 

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STFI7N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  st
 stf7n80k5 stfi7n80k5.pdf pdf_icon

STFI7N80K5

STF7N80K5, STFI7N80K5N-channel 800 V, 0.95 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS RDS(on)max ID PTOTSTF7N80K5800 V 1.2 6 A 25 WSTFI7N80K5 Worldwide best FOM (figure of merit)32 Ultra low gate charge1123TO-220FP 100% avalanche testedI 2PAKFP

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History: PTP12N60 | PTP12N65 | BRF12N60 | BRF12N65

 

 
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