STFI7N80K5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STFI7N80K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: I2PAKFP

Аналог (замена) для STFI7N80K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STFI7N80K5 даташит

 ..1. Size:677K  st
 stf7n80k5 stfi7n80k5.pdf pdf_icon

STFI7N80K5

STF7N80K5, STFI7N80K5 N-channel 800 V, 0.95 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on)max ID PTOT STF7N80K5 800 V 1.2 6 A 25 W STFI7N80K5 Worldwide best FOM (figure of merit) 3 2 Ultra low gate charge 1 1 2 3 TO-220FP 100% avalanche tested I 2PAKFP

Другие IGBT... STFI31N65M5, STFI34N65M5, STFI34NM60N, STFI40N60M2, STFI4N62K3, STFI6N62K3, STFI6N65K3, STFI6N80K5, NCEP15T14, STFI8N80K5, STFV4N150, STFW1N105K3, STFW24N60M2, STFW2N105K5, STFW38N65M5, STFW3N170, STFW40N60M2