STFI8N80K5 Todos los transistores

 

STFI8N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STFI8N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STFI8N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1125K  st
 stf8n80k5 stfi8n80k5.pdf pdf_icon

STFI8N80K5

STF8N80K5, STFI8N80K5N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on)max. ID PTOTSTF8N80K5800 V 0.95 6 A 25 WSTFI8N80K5 Industrys lowest RDS(on) x area Industrys best figure of merit (FoM) 3122 Ultra low gate charge13TO-220FPI2PAKFP (TO-2

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