STFI8N80K5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STFI8N80K5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
Тип корпуса: I2PAKFP
Аналог (замена) для STFI8N80K5
STFI8N80K5 Datasheet (PDF)
stf8n80k5 stfi8n80k5.pdf
STF8N80K5, STFI8N80K5N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on)max. ID PTOTSTF8N80K5800 V 0.95 6 A 25 WSTFI8N80K5 Industrys lowest RDS(on) x area Industrys best figure of merit (FoM) 3122 Ultra low gate charge13TO-220FPI2PAKFP (TO-2
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918