STFI8N80K5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STFI8N80K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: I2PAKFP

Аналог (замена) для STFI8N80K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STFI8N80K5 даташит

 ..1. Size:1125K  st
 stf8n80k5 stfi8n80k5.pdf pdf_icon

STFI8N80K5

STF8N80K5, STFI8N80K5 N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on)max. ID PTOT STF8N80K5 800 V 0.95 6 A 25 W STFI8N80K5 Industry s lowest RDS(on) x area Industry s best figure of merit (FoM) 3 1 2 2 Ultra low gate charge 1 3 TO-220FP I2PAKFP (TO-2

Другие IGBT... STFI34N65M5, STFI34NM60N, STFI40N60M2, STFI4N62K3, STFI6N62K3, STFI6N65K3, STFI6N80K5, STFI7N80K5, AON7506, STFV4N150, STFW1N105K3, STFW24N60M2, STFW2N105K5, STFW38N65M5, STFW3N170, STFW40N60M2, STFW45N65M5