STFW1N105K3 Todos los transistores

 

STFW1N105K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STFW1N105K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1050 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

STFW1N105K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  st
 stfw1n105k3 stp1n105k3.pdf pdf_icon

STFW1N105K3

STF1N105K3, STFW1N105K3, STP1N105K3N-channel 1050 V, 8 typ., 1.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, TO-3PF and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on)Order codes VDS ID PTOT 111max32 3STF1N105K31220 W1STFW1N105K3 1050 V 11 1.4 A TO-220FPTO-3PFSTP1N105K3 60 W Gate charge minimized Extremely large avalanche pe

 9.1. Size:407K  st
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STFW1N105K3

STF12N120K5, STFW12N120K5N-channel 1200 V, 0.62 typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220FP and TO-3PF packagesDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max. ID PTOTSTF12N120K5 40 W 1200 V 0.69 12 A STFW12N120K5 63 W111 Industrys lowest RDS(on) x area3321 2 Industrys best figure of merit (FoM) 1TO-220FP Ultra

 9.2. Size:821K  st
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STFW1N105K3

STB12N120K5, STFW12N120K5STP12N120K5, STW12N120K5N-channel 1200 V, 0.58 , 12 A DPAK, TO-3PF, TO-220, TO-247Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETPreliminary dataFeaturesTAB111RDS(on) Order codes VDSS ID PW2max.3312STB12N120K5 250 W1DPAKTO-3PFSTFW12N120K5 63 W1200 V

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History: SFF340M | AONS420A60 | SSM09N90CGW | FDME0106NZT | SQD100N03-3M2L | AP4506GEM | IPT026N10N5

 

 
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