STH110N10F7-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STH110N10F7-2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 992 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2

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STH110N10F7-2 Datasheet (PDF)

..1. Size:858K st
sth110n10f7-2 sth110n10f7-6.pdf

STH110N10F7-2, STH110N10F7-6 N-channel 100 V, 4.9 m typ.,110 A, STripFET F7 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TABRDS(on) Order code VDS ID PTOT max. 72STH110N10F7-2 31 100 V 6.5 m 110 A 150 W 1STH110N10F7-6 H2PAK-6H2PAK-2Figure 1: Internal schematic diagram Among the lowest RDS(on) on the mar

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: