STH150N10F7-2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH150N10F7-2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1510 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: H2PAK-2

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STH150N10F7-2 datasheet

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STH150N10F7-2

STH150N10F7-2 N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT STH150N10F7-2 100 V 0.0039 110 A 250 W TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity 3 1 High avalanche ruggedness 2 H

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STH150N10F7-2

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STH150N10F7-2

STW15NB50 STH15NB50FI N-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW15NB50 500 V

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STH150N10F7-2

STH15NA50/FI STW15NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH15NA50 500 V

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