STH150N10F7-2 Todos los transistores

 

STH150N10F7-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH150N10F7-2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2
 

 Búsqueda de reemplazo de STH150N10F7-2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STH150N10F7-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:965K  st
 sth150n10f7-2.pdf pdf_icon

STH150N10F7-2

STH150N10F7-2N-channel 100 V, 0.0034 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTSTH150N10F7-2 100 V 0.0039 110 A 250 WTAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity31 High avalanche ruggedness2H

 9.1. Size:336K  1
 sth15n50 sth15n50fi stw15n50.pdf pdf_icon

STH150N10F7-2

 9.2. Size:206K  st
 sth15nb50fi stw15nb50.pdf pdf_icon

STH150N10F7-2

STW15NB50STH15NB50FIN-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A -T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW15NB50 500 V

 9.3. Size:409K  st
 sth15na50.pdf pdf_icon

STH150N10F7-2

STH15NA50/FISTW15NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH15NA50 500 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STFW40N60M2 , STFW45N65M5 , STFW69N65M5 , STH110N10F7-2 , STH110N10F7-6 , STH12N120K5-2 , STH130N10F3-2 , STH140N8F7-2 , 75N75 , STH15NB50FI , STH160N4LF6-2 , STH170N8F7-2 , STH175N4F6-2AG , STH175N4F6-6AG , STH180N10F3-6 , STH185N10F3-2 , STH185N10F3-6 .

 

 
Back to Top

 


 
.