STH170N8F7-2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH170N8F7-2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm

Encapsulados: H2PAK-2

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STH170N8F7-2 datasheet

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STH170N8F7-2

STH170N8F7-2 N-channel 80 V, 0.0028 typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H PAK-2 package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT STH170N8F7-2 80 V 0.0037 120 A 250 W TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 3 1 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity H2PAK-2 High avalanche ruggedn

 9.1. Size:589K  st
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STH170N8F7-2

STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 m typ.,120 A STripFET F6 Power MOSFETs in H PAK-2 and H PAK-6 packages Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on) max ID TAB TAB STH175N4F6-2AG 40 V 2.4 m 120 A STH175N4F6-6AG 7 2 3 Designed for automotive applications and 1 1 AEC-Q101 qualified H2PAK-2 Very low on-resi

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