STH175N4F6-2AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STH175N4F6-2AG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2

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STH175N4F6-2AG Datasheet (PDF)

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sth175n4f6-2ag sth175n4f6-6ag.pdf

STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AGAutomotive-grade N-channel 40 V, 1.9 m typ.,120 A STripFET F6 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS RDS(on) max IDTAB TABSTH175N4F6-2AG40 V 2.4 m 120 ASTH175N4F6-6AG723 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualifiedH2PAK-2 Very low on-resi

9.1. Size:817K st
sth170n8f7-2.pdf

STH170N8F7-2N-channel 80 V, 0.0028 typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a HPAK-2 packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max. ID PTOTSTH170N8F7-2 80 V 0.0037 120 A 250 WTAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM)231 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunityH2PAK-2 High avalanche ruggedn

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Liste

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