Справочник MOSFET. STH175N4F6-2AG

 

STH175N4F6-2AG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STH175N4F6-2AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2

 Аналог (замена) для STH175N4F6-2AG

 

 

STH175N4F6-2AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  st
 sth175n4f6-2ag sth175n4f6-6ag.pdf

STH175N4F6-2AG STH175N4F6-2AG

STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AGAutomotive-grade N-channel 40 V, 1.9 m typ.,120 A STripFET F6 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS RDS(on) max IDTAB TABSTH175N4F6-2AG40 V 2.4 m 120 ASTH175N4F6-6AG723 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualifiedH2PAK-2 Very low on-resi

 9.1. Size:817K  st
 sth170n8f7-2.pdf

STH175N4F6-2AG STH175N4F6-2AG

STH170N8F7-2N-channel 80 V, 0.0028 typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a HPAK-2 packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max. ID PTOTSTH170N8F7-2 80 V 0.0037 120 A 250 WTAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM)231 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunityH2PAK-2 High avalanche ruggedn

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top