Справочник MOSFET. STH175N4F6-2AG

 

STH175N4F6-2AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH175N4F6-2AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2
 

 Аналог (замена) для STH175N4F6-2AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH175N4F6-2AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  st
 sth175n4f6-2ag sth175n4f6-6ag.pdf pdf_icon

STH175N4F6-2AG

STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AGAutomotive-grade N-channel 40 V, 1.9 m typ.,120 A STripFET F6 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS RDS(on) max IDTAB TABSTH175N4F6-2AG40 V 2.4 m 120 ASTH175N4F6-6AG723 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualifiedH2PAK-2 Very low on-resi

 9.1. Size:817K  st
 sth170n8f7-2.pdf pdf_icon

STH175N4F6-2AG

STH170N8F7-2N-channel 80 V, 0.0028 typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a HPAK-2 packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max. ID PTOTSTH170N8F7-2 80 V 0.0037 120 A 250 WTAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM)231 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunityH2PAK-2 High avalanche ruggedn

Другие MOSFET... STH110N10F7-6 , STH12N120K5-2 , STH130N10F3-2 , STH140N8F7-2 , STH150N10F7-2 , STH15NB50FI , STH160N4LF6-2 , STH170N8F7-2 , IRF2807 , STH175N4F6-6AG , STH180N10F3-6 , STH185N10F3-2 , STH185N10F3-6 , STH240N10F7-2 , STH240N10F7-6 , STH240N75F3-2 , STH240N75F3-6 .

History: UD9926 | HCD70R910 | IRFL024ZPBF | IRF7452QPBF | IPI041N12N3G | SSS45N20B | AUIRF7343Q

 

 
Back to Top

 


 
.