STH175N4F6-2AG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH175N4F6-2AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: H2PAK-2

Аналог (замена) для STH175N4F6-2AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH175N4F6-2AG даташит

 ..1. Size:589K  st
 sth175n4f6-2ag sth175n4f6-6ag.pdf pdf_icon

STH175N4F6-2AG

STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 m typ.,120 A STripFET F6 Power MOSFETs in H PAK-2 and H PAK-6 packages Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on) max ID TAB TAB STH175N4F6-2AG 40 V 2.4 m 120 A STH175N4F6-6AG 7 2 3 Designed for automotive applications and 1 1 AEC-Q101 qualified H2PAK-2 Very low on-resi

 9.1. Size:817K  st
 sth170n8f7-2.pdf pdf_icon

STH175N4F6-2AG

STH170N8F7-2 N-channel 80 V, 0.0028 typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H PAK-2 package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT STH170N8F7-2 80 V 0.0037 120 A 250 W TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 3 1 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity H2PAK-2 High avalanche ruggedn

Другие IGBT... STH110N10F7-6, STH12N120K5-2, STH130N10F3-2, STH140N8F7-2, STH150N10F7-2, STH15NB50FI, STH160N4LF6-2, STH170N8F7-2, STF13NM60N, STH175N4F6-6AG, STH180N10F3-6, STH185N10F3-2, STH185N10F3-6, STH240N10F7-2, STH240N10F7-6, STH240N75F3-2, STH240N75F3-6