STH175N4F6-6AG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH175N4F6-6AG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: H2PAK-6

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STH175N4F6-6AG datasheet

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STH175N4F6-6AG

STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 m typ.,120 A STripFET F6 Power MOSFETs in H PAK-2 and H PAK-6 packages Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on) max ID TAB TAB STH175N4F6-2AG 40 V 2.4 m 120 A STH175N4F6-6AG 7 2 3 Designed for automotive applications and 1 1 AEC-Q101 qualified H2PAK-2 Very low on-resi

 9.1. Size:817K  st
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STH175N4F6-6AG

STH170N8F7-2 N-channel 80 V, 0.0028 typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H PAK-2 package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT STH170N8F7-2 80 V 0.0037 120 A 250 W TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) 2 3 1 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity H2PAK-2 High avalanche ruggedn

Otros transistores... STH12N120K5-2, STH130N10F3-2, STH140N8F7-2, STH150N10F7-2, STH15NB50FI, STH160N4LF6-2, STH170N8F7-2, STH175N4F6-2AG, IRFZ24N, STH180N10F3-6, STH185N10F3-2, STH185N10F3-6, STH240N10F7-2, STH240N10F7-6, STH240N75F3-2, STH240N75F3-6, STH245N75F3-6