STH240N10F7-6 Todos los transistores

 

STH240N10F7-6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH240N10F7-6
   Código: 240N10F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 160 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 139 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-6
 

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STH240N10F7-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:768K  st
 sth240n10f7-2 sth240n10f7-6.pdf pdf_icon

STH240N10F7-6

STH240N10F7-2, STH240N10F7-6N-channel 100 V, 0.002 typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on)max. IDSTH240N10F7-2TABTAB 100 V 0.0025 180 ASTH240N10F7-6 Ultra low on-resistance273 100% avalanche tested11H2PAK-2H2PAK-6Applications High current switchin

 7.1. Size:872K  st
 sth240n75f3-2 sth240n75f3-6.pdf pdf_icon

STH240N10F7-6

STH240N75F3-2, STH240N75F3-6N-channel 75 V, 2.6 m typ., 180 A STripFET III Power MOSFET in HPAK-2 and HPAK-6 packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max. ID TABSTH240N75F3-275 V

 9.1. Size:863K  st
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STH240N10F7-6

STH245N75F3-6Automotive-grade N-channel 75 V, 2.6 m typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in a HPAK-6 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max. IDTABSTH245N75F3-6 75 V 3.0 m 180 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified7 Conduction losses reduced1 Low profile, very low parasitic inductanceH2PAK-6A

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History: SSM9915GH | IRFR310 | IRLTS2242 | WSF09N20 | IRLU7843PBF | MTB40P06Q8 | WSC40N06

 

 
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