STH265N6F6-2AG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH265N6F6-2AG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm

Encapsulados: H2PAK-2

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STH265N6F6-2AG datasheet

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STH265N6F6-2AG

STH265N6F6-2AG, STH265N6F6-6AG Automotive N-channel 60 V, 1.6 m typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H PAK-2 and H PAK-6 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D TAB TAB STH265N6F6-2AG 60 V 2.1 m 180 A STH265N6F6-6AG 60 V 2.1 m 180 A 7 2 3 1 Designed for automotive applications 1 Very low on-resistance

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STH265N6F6-2AG

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STH265N6F6-2AG

STH260N6F6-2 N-channel 60 V, 1.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in H PAK-2 package Datasheet production data Features Order code VDSS RDS(on) max ID TAB STH260N6F6-2 60 V

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STH265N6F6-2AG

STH260N6F6-6 N-channel 60 V, 1.7 m typ., 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in H PAK-6 package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS RDS(on) max ID STH260N6F6-6 60 V 2.4 m 180 A TAB Low gate charge Very low on-resistance 7 High avalanche ruggedness 1 1 Applications H2PAK-6 Switching applications Description Figure 1. Internal sch

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