STH275N8F7-2AG Todos los transistores

 

STH275N8F7-2AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH275N8F7-2AG
   Código: 275N8F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 315 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 193 nC
   Tiempo de subida (tr): 180 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2050 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2

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STH275N8F7-2AG Datasheet (PDF)

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STH275N8F7-2AG STH275N8F7-2AG

STH275N8F7-2AG, STH275N8F7-6AGAutomotive-grade N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A,STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6Datasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDTABTABSTH275N8F7-2AG80 V 0.0021 180 ASTH275N8F7-6AG27311 Designed for automotive applications and H2PAK-2H2PAK-6AEC-Q101 qualified Among the lowe

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sth270n8f7-2 sth270n8f7-6 stp270n8f7.pdf

STH275N8F7-2AG STH275N8F7-2AG

STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220 packagesDatasheet - production dataTAB FeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID2731 STH270N8F7-210.0021 STH270N8F7-6 80 V 180 AH2PAK-2 H2PAK-6STP270N8F7 0.0025 TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellen

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STH275N8F7-2AG STH275N8F7-2AG

STH270N4F3-2N-channel 40 V, 1.4 m typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max IDTABSTH270N4F3-2 40 V 1.7 m 180 A Conduction losses reduced23 Low profile, very low parasitic inductance, high 1current packageH2PAK-2Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. In

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STH275N8F7-2AG STH275N8F7-2AG

STH270N4F3-6N-channel 40 V, 1.40 m, 180 A, H2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID (1)TABSTH270N4F3-6 40 V

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