STH275N8F7-6AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STH275N8F7-6AG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 315 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STH275N8F7-6AG

STH275N8F7-6AG Datasheet (PDF)

..1. Size:1112K st
sth275n8f7-2ag sth275n8f7-6ag.pdf

STH275N8F7-2AG, STH275N8F7-6AGAutomotive-grade N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A,STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6Datasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDTABTABSTH275N8F7-2AG80 V 0.0021 180 ASTH275N8F7-6AG27311 Designed for automotive applications and H2PAK-2H2PAK-6AEC-Q101 qualified Among the lowe

9.1. Size:1654K st
sth270n8f7-2 sth270n8f7-6 stp270n8f7.pdf

STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220 packagesDatasheet - production dataTAB FeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID2731 STH270N8F7-210.0021 STH270N8F7-6 80 V 180 AH2PAK-2 H2PAK-6STP270N8F7 0.0025 TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellen

9.2. Size:1144K st
sth270n4f3-2.pdf

STH270N4F3-2N-channel 40 V, 1.4 m typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max IDTABSTH270N4F3-2 40 V 1.7 m 180 A Conduction losses reduced23 Low profile, very low parasitic inductance, high 1current packageH2PAK-2Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. In

9.3. Size:543K st
sth270n4f3-6.pdf