STH275N8F7-6AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STH275N8F7-6AG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 180 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2050 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: H2PAK-6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STH275N8F7-6AG Datasheet (PDF)
sth275n8f7-2ag sth275n8f7-6ag.pdf

STH275N8F7-2AG, STH275N8F7-6AGAutomotive-grade N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A,STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6Datasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDTABTABSTH275N8F7-2AG80 V 0.0021 180 ASTH275N8F7-6AG27311 Designed for automotive applications and H2PAK-2H2PAK-6AEC-Q101 qualified Among the lowe
sth270n8f7-2 sth270n8f7-6 stp270n8f7.pdf

STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220 packagesDatasheet - production dataTAB FeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID2731 STH270N8F7-210.0021 STH270N8F7-6 80 V 180 AH2PAK-2 H2PAK-6STP270N8F7 0.0025 TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellen
sth270n4f3-2.pdf

STH270N4F3-2N-channel 40 V, 1.4 m typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max IDTABSTH270N4F3-2 40 V 1.7 m 180 A Conduction losses reduced23 Low profile, very low parasitic inductance, high 1current packageH2PAK-2Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. In
sth270n4f3-6.pdf

STH270N4F3-6N-channel 40 V, 1.40 m, 180 A, H2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID (1)TABSTH270N4F3-6 40 V
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: IRFS250 | VS3645DE-G | CSFR2N60F | AON3806 | IRFS251 | IRFS331 | SSP2N60A
History: IRFS250 | VS3645DE-G | CSFR2N60F | AON3806 | IRFS251 | IRFS331 | SSP2N60A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735