STH275N8F7-6AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STH275N8F7-6AG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2050 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: H2PAK-6
Аналог (замена) для STH275N8F7-6AG
STH275N8F7-6AG Datasheet (PDF)
sth275n8f7-2ag sth275n8f7-6ag.pdf

STH275N8F7-2AG, STH275N8F7-6AGAutomotive-grade N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A,STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6Datasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDTABTABSTH275N8F7-2AG80 V 0.0021 180 ASTH275N8F7-6AG27311 Designed for automotive applications and H2PAK-2H2PAK-6AEC-Q101 qualified Among the lowe
sth270n8f7-2 sth270n8f7-6 stp270n8f7.pdf

STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220 packagesDatasheet - production dataTAB FeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID2731 STH270N8F7-210.0021 STH270N8F7-6 80 V 180 AH2PAK-2 H2PAK-6STP270N8F7 0.0025 TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellen
sth270n4f3-2.pdf

STH270N4F3-2N-channel 40 V, 1.4 m typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max IDTABSTH270N4F3-2 40 V 1.7 m 180 A Conduction losses reduced23 Low profile, very low parasitic inductance, high 1current packageH2PAK-2Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. In
sth270n4f3-6.pdf

STH270N4F3-6N-channel 40 V, 1.40 m, 180 A, H2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID (1)TABSTH270N4F3-6 40 V
Другие MOSFET... STH245N75F3-6 , STH260N6F6-6 , STH265N6F6-2AG , STH265N6F6-6AG , STH270N4F3-2 , STH270N8F7-2 , STH270N8F7-6 , STH275N8F7-2AG , EMB04N03H , STH310N10F7-2 , STH310N10F7-6 , STH315N10F7-2 , STH315N10F7-6 , STH320N4F6-2 , STH320N4F6-6 , STH360N4F6-2 , STH3N150-2 .
History: HM2310 | STK830D | RFD10P03L | SI5853DDC | SI7120ADN | NDT01N60 | HP8KA1
History: HM2310 | STK830D | RFD10P03L | SI5853DDC | SI7120ADN | NDT01N60 | HP8KA1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735