STH310N10F7-6 Todos los transistores

 

STH310N10F7-6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH310N10F7-6
   Código: 310N10F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 315 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 180 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-6
 

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STH310N10F7-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  st
 sth310n10f7-2 sth310n10f7-6.pdf pdf_icon

STH310N10F7-6

STH310N10F7-2, STH310N10F7-6 N-channel 100 V, 1.9 m typ.,180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTH310N10F7-2 7100 V 2.3 m 180 A 2STH310N10F7-6 311H2PAK-6H2PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the market Figure 1: Internal schematic diagram

 9.1. Size:1140K  st
 sth315n10f7-2 sth315n10f7-6.pdf pdf_icon

STH310N10F7-6

STH315N10F7-2, STH315N10F7-6Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETsDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codesTAB TABSTH315N10F7-2100 V 2.3 m 180 ASTH315N10F7-6273 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualified2 2H PAK-6H PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the marke

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History: WMQ050N03LG4

 

 
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