STH310N10F7-6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH310N10F7-6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 108 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: H2PAK-6

Аналог (замена) для STH310N10F7-6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH310N10F7-6 даташит

 ..1. Size:683K  st
 sth310n10f7-2 sth310n10f7-6.pdf pdf_icon

STH310N10F7-6

STH310N10F7-2, STH310N10F7-6 N-channel 100 V, 1.9 m typ.,180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STH310N10F7-2 7 100 V 2.3 m 180 A 2 STH310N10F7-6 3 1 1 H2PAK-6 H2PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the market Figure 1 Internal schematic diagram

 9.1. Size:1140K  st
 sth315n10f7-2 sth315n10f7-6.pdf pdf_icon

STH310N10F7-6

STH315N10F7-2, STH315N10F7-6 Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETs Datasheet - production data Features VDS RDS(on) max. ID Order codes TAB TAB STH315N10F7-2 100 V 2.3 m 180 A STH315N10F7-6 2 7 3 Designed for automotive applications and 1 1 AEC-Q101 qualified 2 2 H PAK-6 H PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the marke

Другие IGBT... STH265N6F6-2AG, STH265N6F6-6AG, STH270N4F3-2, STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STH275N8F7-2AG, STH275N8F7-6AG, STH310N10F7-2, EMB04N03H, STH315N10F7-2, STH315N10F7-6, STH320N4F6-2, STH320N4F6-6, STH360N4F6-2, STH3N150-2, STH400N4F6-2, STH400N4F6-6