IRHG567110 Todos los transistores

 

IRHG567110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHG567110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB
 

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IRHG567110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  international rectifier
 irhg567110.pdf pdf_icon

IRHG567110

PD - 94246BIRHG567110100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETTECHNOLOGY44 THRU-HOLE (MO-036AB) #Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHG567110 100K Rads (Si) 0.29 1.6A N IRHG563110 300K Rads (Si) 0.29 1.6A N IRHG567110 100K Rads (Si) 0.96 -0.96A P IRHG563110 300K Rads (Si) 0.96 -

 9.1. Size:119K  international rectifier
 irhg57110.pdf pdf_icon

IRHG567110

PD - 94432B RADIATION HARDENED IRHG57110 POWER MOSFET100V, Quad N-CHANNELTECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036) 55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHG57110 100K Rads (Si) 0.29 1.6AIRHG53110 300K Rads (Si) 0.29 1.6AIRHG54110 500K Rads (Si) 0.29 1.6AIRHG58110 1000K Rads (Si) 0.31 1.6A MO-036ABInternational Rectifiers R5TM technology pro

 9.2. Size:115K  international rectifier
 irhg597110.pdf pdf_icon

IRHG567110

PD - 94431IRHG597110100V, Quad P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETTECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) 4#4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG597110 100K Rads (Si) 0.96 -0.96A IRHG593110 300K Rads (Si) 0.98 -0.96A MO-036ABInternational Rectifiers RAD-HardTM HEXFET MOSFETFeatures:Technology provides high

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