IRHI7460SE Todos los transistores

 

IRHI7460SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHI7460SE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-259AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRHI7460SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  international rectifier
 irhi7460se.pdf pdf_icon

IRHI7460SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1224AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDIRHI7460SEHEXFET TRANSISTORN-CHANNELSINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARDProduct Summary 500 Volt, 0.32, (SEE) RAD HARD HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDInternational Rectifiers (SEE) RAD HARD technol-ogy HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEEIRHI7460SE 500V 0.32 20A

 9.1. Size:32K  international rectifier
 irhi7360se.pdf pdf_icon

IRHI7460SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1446AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDIRHI7360SEHEXFET TRANSISTORN-CHANNELSINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARDProduct Summary 400 Volt, 0.20, (SEE) RAD HARD HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDInternational Rectifiers (SEE) RAD HARD technologyHEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE fail- IRHI7360SE 400V 0.20 2

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History: HUFA76423S3ST | P06P03LDG | HM12N20D | NCE65TF099F

 

 
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