IRHI7460SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHI7460SE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-259AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHI7460SE
IRHI7460SE Datasheet (PDF)
irhi7460se.pdf
Provisional Data Sheet No. PD-9.1224AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDIRHI7460SEHEXFET TRANSISTORN-CHANNELSINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARDProduct Summary 500 Volt, 0.32, (SEE) RAD HARD HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDInternational Rectifiers (SEE) RAD HARD technol-ogy HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEEIRHI7460SE 500V 0.32 20A
irhi7360se.pdf
Provisional Data Sheet No. PD-9.1446AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDIRHI7360SEHEXFET TRANSISTORN-CHANNELSINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARDProduct Summary 400 Volt, 0.20, (SEE) RAD HARD HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDInternational Rectifiers (SEE) RAD HARD technologyHEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE fail- IRHI7360SE 400V 0.20 2
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Liste
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