IRHI7460SE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHI7460SE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: TO-259AA

 Búsqueda de reemplazo de IRHI7460SE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRHI7460SE datasheet

 ..1. Size:32K  international rectifier
 irhi7460se.pdf pdf_icon

IRHI7460SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1224A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHI7460SE HEXFET TRANSISTOR N-CHANNEL SINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARD Product Summary 500 Volt, 0.32 , (SEE) RAD HARD HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID International Rectifier s (SEE) RAD HARD technol- ogy HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE IRHI7460SE 500V 0.32 20A

 9.1. Size:32K  international rectifier
 irhi7360se.pdf pdf_icon

IRHI7460SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1446A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHI7360SE HEXFET TRANSISTOR N-CHANNEL SINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARD Product Summary 400 Volt, 0.20 , (SEE) RAD HARD HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID International Rectifier s (SEE) RAD HARD technology HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE fail- IRHI7360SE 400V 0.20 2

Otros transistores... STH8NA80FI, IRHG567110, IRHG57110, IRHG597110, IRHG6110, IRHG7110, IRHG9110, IRHI7360SE, IRF640, IRHLF770Z4, IRHLF7970Z4, IRHLF87Y20, IRHLG7670Z4, IRHLG770Z4, IRHLG77110, IRHLG77214, IRHLG7970Z4