IRHI7460SE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRHI7460SE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
Тип корпуса: TO-259AA
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRHI7460SE Datasheet (PDF)
irhi7460se.pdf

Provisional Data Sheet No. PD-9.1224AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDIRHI7460SEHEXFET TRANSISTORN-CHANNELSINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARDProduct Summary 500 Volt, 0.32, (SEE) RAD HARD HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDInternational Rectifiers (SEE) RAD HARD technol-ogy HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEEIRHI7460SE 500V 0.32 20A
irhi7360se.pdf

Provisional Data Sheet No. PD-9.1446AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDIRHI7360SEHEXFET TRANSISTORN-CHANNELSINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARDProduct Summary 400 Volt, 0.20, (SEE) RAD HARD HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDInternational Rectifiers (SEE) RAD HARD technologyHEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE fail- IRHI7360SE 400V 0.20 2
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IRF241 | NCE70T180D
History: IRF241 | NCE70T180D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924