Справочник MOSFET. IRHI7460SE

 

IRHI7460SE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHI7460SE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO-259AA
 

 Аналог (замена) для IRHI7460SE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHI7460SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  international rectifier
 irhi7460se.pdf pdf_icon

IRHI7460SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1224AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDIRHI7460SEHEXFET TRANSISTORN-CHANNELSINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARDProduct Summary 500 Volt, 0.32, (SEE) RAD HARD HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDInternational Rectifiers (SEE) RAD HARD technol-ogy HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEEIRHI7460SE 500V 0.32 20A

 9.1. Size:32K  international rectifier
 irhi7360se.pdf pdf_icon

IRHI7460SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1446AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDIRHI7360SEHEXFET TRANSISTORN-CHANNELSINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARDProduct Summary 400 Volt, 0.20, (SEE) RAD HARD HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDInternational Rectifiers (SEE) RAD HARD technologyHEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE fail- IRHI7360SE 400V 0.20 2

Другие MOSFET... STH8NA80FI , IRHG567110 , IRHG57110 , IRHG597110 , IRHG6110 , IRHG7110 , IRHG9110 , IRHI7360SE , IRFP460 , IRHLF770Z4 , IRHLF7970Z4 , IRHLF87Y20 , IRHLG7670Z4 , IRHLG770Z4 , IRHLG77110 , IRHLG77214 , IRHLG7970Z4 .

History: FHU2N65D

 

 
Back to Top

 


 
.