IRHLG7670Z4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHLG7670Z4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.07 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: MO-036AB

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IRHLG7670Z4 datasheet

 ..1. Size:300K  international rectifier
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IRHLG7670Z4

 8.1. Size:202K  international rectifier
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IRHLG7670Z4

PD-97339 2N7614M1 RADIATION HARDENED IRHLG77214 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 250V, Quad N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG77214 100K Rads (Si) 1.1 0.8A IRHLG73214 300K Rads (Si) 1.1 0.8A MO-036AB International Rectifier s R7TM Logic Level Power MOSFETs provide simple solution to interfacing CMOS and TTL

 8.2. Size:206K  international rectifier
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IRHLG7670Z4

PRELIMINARY PD-97178 2N7612M1 RADIATION HARDENED IRHLG77110 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 100V, Quad N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG77110 100K Rads (Si) 0.22 1.8A IRHLG73110 300K Rads (Si) 0.22 1.8A MO-036AB International Rectifier s R7TM Logic Level Power Features MOSFETs provide simple solution to

 8.3. Size:213K  international rectifier
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IRHLG7670Z4

PRELIMINARY PD-97200B 2N7628M1 RADIATION HARDENED IRHLG7970Z4 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 60V, Quad P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG7970Z4 100K Rads (Si) 1.25 -0.71A IRHLG7930Z4 300K Rads (Si) 1.25 -0.71A MO-036AB International Rectifier s R7TM Logic Level Power Features MOSFETs provide simple solut

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