IRHLQ77214 Todos los transistores

 

IRHLQ77214 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHLQ77214

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 12 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 18 nC

Tiempo de elevación (tr): 57 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 62 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1 Ohm

Empaquetado / Estuche: LCC-28

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IRHLQ77214 Datasheet (PDF)

1.1. irhlq77214.pdf Size:236K _update

IRHLQ77214
IRHLQ77214

PD-97260A 2N7615U6 RADIATION HARDENED IRHLQ77214 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 250V, Quad N-CHANNEL SURFACE MOUNT (LCC-28) TECHNOLOGY ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLQ77214 100K Rads (Si) 1.0Ω 2.6A IRHLQ73214 300K Rads (Si) 1.0Ω 2.6A LCC-28 International Rectifier’s R7TM Logic Level Power Features: MOSFETs provide simple solution to interfacing

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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