IRHLQ77214 Todos los transistores

 

IRHLQ77214 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHLQ77214
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC-28
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRHLQ77214 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  international rectifier
 irhlq77214.pdf pdf_icon

IRHLQ77214

PD-97260A 2N7615U6RADIATION HARDENED IRHLQ77214LOGIC LEVEL POWER MOSFET 250V, Quad N-CHANNELSURFACE MOUNT (LCC-28) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLQ77214 100K Rads (Si) 1.0 2.6A IRHLQ73214 300K Rads (Si) 1.0 2.6A LCC-28International Rectifiers R7TM Logic Level PowerFeatures:MOSFETs provide simple solution to interfacing

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History: AP98T03GP

 

 
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