IRHLQ77214 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRHLQ77214
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 57 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: LCC-28
Аналог (замена) для IRHLQ77214
IRHLQ77214 Datasheet (PDF)
irhlq77214.pdf
PD-97260A 2N7615U6RADIATION HARDENED IRHLQ77214LOGIC LEVEL POWER MOSFET 250V, Quad N-CHANNELSURFACE MOUNT (LCC-28) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLQ77214 100K Rads (Si) 1.0 2.6A IRHLQ73214 300K Rads (Si) 1.0 2.6A LCC-28International Rectifiers R7TM Logic Level PowerFeatures:MOSFETs provide simple solution to interfacing
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918