IRHLYS797034CM Todos los transistores

 

IRHLYS797034CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHLYS797034CM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 265 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AA
 

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IRHLYS797034CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  international rectifier
 irhlys797034cm.pdf pdf_icon

IRHLYS797034CM

PD-97292A2N7625T3RADIATION HARDENED IRHLYS797034CMLOGIC LEVEL POWER MOSFET60V, P-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLYS797034CM 100K Rads (Si) 0.074 -20A* IRHLYS793034CM 300K Rads (Si) 0.074 -20A*Low-OhmicTO-257AAInternational Rectifiers R7TM Logic Level PowerFeatures:MOSFETs provid

 7.1. Size:190K  international rectifier
 irhlys77034cm.pdf pdf_icon

IRHLYS797034CM

PRELIMINARYPD-972912N7607T3RADIATION HARDENED IRHLYS77034CM60V, N-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLYS77034CM 100K Rads (Si) 0.045 20A* IRHLYS73034CM 300K Rads (Si) 0.045 20A*Low-OhmicTO-257AAInternational Rectifiers R7TM Logic Level PowerFeatures:MOSFETs

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History: IRF830LPBF | WSD2012DN25 | EFC2K101NUZ | STP210N75F6 | SFF50N20B | SM6A08NSFP | 2SK2291

 

 
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