IRHLYS797034CM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHLYS797034CM  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 265 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074 Ohm

Encapsulados: TO-257AA

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IRHLYS797034CM MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRHLYS797034CM datasheet

 ..1. Size:202K  international rectifier
 irhlys797034cm.pdf pdf_icon

IRHLYS797034CM

PD-97292A 2N7625T3 RADIATION HARDENED IRHLYS797034CM LOGIC LEVEL POWER MOSFET 60V, P-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLYS797034CM 100K Rads (Si) 0.074 -20A* IRHLYS793034CM 300K Rads (Si) 0.074 -20A* Low-Ohmic TO-257AA International Rectifier s R7TM Logic Level Power Features MOSFETs provid

 7.1. Size:190K  international rectifier
 irhlys77034cm.pdf pdf_icon

IRHLYS797034CM

PRELIMINARY PD-97291 2N7607T3 RADIATION HARDENED IRHLYS77034CM 60V, N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWER MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLYS77034CM 100K Rads (Si) 0.045 20A* IRHLYS73034CM 300K Rads (Si) 0.045 20A* Low-Ohmic TO-257AA International Rectifier s R7TM Logic Level Power Features MOSFETs

Otros transistores... IRHLNM77110, IRHLNM87Y20, IRHLQ77214, IRHLUBC7970Z4, IRHLUC7670Z4, IRHLUC770Z4, IRHLUC7970Z4, IRHLYS77034CM, AON7408, IRHNA57260, IRHNA597160, IRHNA67160, IRHNA67164, IRHNA67260, IRHNA67264, IRHNA7264SE, IRHNA7360SE