IRHSLNA57064 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHSLNA57064
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 160 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHSLNA57064

IRHSLNA57064 Datasheet (PDF)

..1. Size:112K international rectifier
irhslna57064.pdf

PD-94401ARAD-HARD IRHSLNA57064SYNCHRONOUS RECTIFIER60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QGIRHSLNA57064 100K Rads (Si) 6.1m 160nCIRHSLNA53064 300K Rads (Si) 6.1m 160nCIRHSLNA54064 600K Rads (Si) 6.1m 160nCIRHSLNA58064 1000K Rads (Si) 7.1m 160nCSMD-2Description:The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs

5.1. Size:123K international rectifier
irhslna57z60.pdf

PD-94400BRAD-HARD IRHSLNA57Z60SYNCHRONOUS RECTIFIER30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSLNA57Z60 100K Rads (Si) 4.0m 200nC IRHSLNA53Z60 300K Rads (Si) 4.0m 200nCIRHSLNA54Z60 600K Rads (Si) 4.0m 200nC IRHSLNA58Z60 1000K Rads (Si) 4.5m 200nCSMD-2Description:The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFET

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Liste

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