Справочник MOSFET. IRHSLNA57064

 

IRHSLNA57064 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRHSLNA57064
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   trⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
   Тип корпуса: SMD-2

 Аналог (замена) для IRHSLNA57064

 

 

IRHSLNA57064 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  international rectifier
 irhslna57064.pdf

IRHSLNA57064 IRHSLNA57064

PD-94401ARAD-HARD IRHSLNA57064SYNCHRONOUS RECTIFIER60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QGIRHSLNA57064 100K Rads (Si) 6.1m 160nCIRHSLNA53064 300K Rads (Si) 6.1m 160nCIRHSLNA54064 600K Rads (Si) 6.1m 160nCIRHSLNA58064 1000K Rads (Si) 7.1m 160nCSMD-2Description:The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs

 5.1. Size:123K  international rectifier
 irhslna57z60.pdf

IRHSLNA57064 IRHSLNA57064

PD-94400BRAD-HARD IRHSLNA57Z60SYNCHRONOUS RECTIFIER30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSLNA57Z60 100K Rads (Si) 4.0m 200nC IRHSLNA53Z60 300K Rads (Si) 4.0m 200nCIRHSLNA54Z60 600K Rads (Si) 4.0m 200nC IRHSLNA58Z60 1000K Rads (Si) 4.5m 200nCSMD-2Description:The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFET

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top