IRHSNA57064 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHSNA57064
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-2

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IRHSNA57064 Datasheet (PDF)

..1. Size:271K international rectifier
irhsna57064.pdf

PD-94323DRAD-HARD IRHSNA57064SYNCHRONOUS RECTIFIER60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSNA57064 100K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA53064 300K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA54064 600K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA58064 1000K Rads (Si) 6.5m 160nCSMD-2Description:The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETsF

6.1. Size:111K international rectifier
irhsna57z60.pdf

PD-94237FRAD-HARD IRHSNA57Z60SYNCHRONOUS RECTIFIER30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSNA57Z60 100K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA53Z60 300K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA54Z60 600K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA58Z60 1000K Rads (Si) 4.0m 200nCSMD-2Description:The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETsF

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Liste

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