Справочник MOSFET. IRHSNA57064

 

IRHSNA57064 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHSNA57064
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: SMD-2
 

 Аналог (замена) для IRHSNA57064

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHSNA57064 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  international rectifier
 irhsna57064.pdf pdf_icon

IRHSNA57064

PD-94323DRAD-HARD IRHSNA57064SYNCHRONOUS RECTIFIER60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSNA57064 100K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA53064 300K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA54064 600K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA58064 1000K Rads (Si) 6.5m 160nCSMD-2Description:The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETsF

 6.1. Size:111K  international rectifier
 irhsna57z60.pdf pdf_icon

IRHSNA57064

PD-94237FRAD-HARD IRHSNA57Z60SYNCHRONOUS RECTIFIER30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSNA57Z60 100K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA53Z60 300K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA54Z60 600K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA58Z60 1000K Rads (Si) 4.0m 200nCSMD-2Description:The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETsF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AON6380

 

 
Back to Top

 


 
.