IRF1010EZSPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF1010EZSPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF1010EZSPBF

IRF1010EZSPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:407K international rectifier
irf1010ezlpbf irf1010ezpbf irf1010ezspbf.pdf

PD - 95483CIRF1010EZPbFIRF1010EZSPbFIRF1010EZLPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 8.5m Lead-FreeGID = 75ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing tech

..2. Size:407K infineon
irf1010ezpbf irf1010ezspbf irf1010ezlpbf.pdf

4.1. Size:375K international rectifier
auirf1010ezstrl.pdf

PD - 95962AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1010EZAUIRF1010EZSAUIRF1010EZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceDV(BR)DSS60V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max.8.5m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGID (Silicon Limited)84A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Limited)

4.2. Size:756K infineon
auirf1010ez auirf1010ezs auirf1010ezl.pdf

AUIRF1010EZ AUIRF1010EZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010EZL Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 6.8m Ultra Low On-Resistance max. 8.5m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 84A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Q

4.3. Size:258K inchange semiconductor
irf1010ezs.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010EZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: