IXFR58N20Q Todos los transistores

 

IXFR58N20Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFR58N20Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 98 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFR58N20Q

 

IXFR58N20Q Datasheet (PDF)

1.1. ixfr58n20q.pdf Size:89K _ixys

IXFR58N20Q
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IXFR 58N20Q V = 200 V HiPerFETTM Power MOSFETs DSS ID25 = 50 A ISOPLUS247TM Q-Class Ω RDS(on) = 40 mΩ Ω Ω Ω (Electrically Isolated Back Surface) ≤ trr ≤ ≤ 200 ns ≤ ≤ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25°C

5.1. ixfr50n50 ixfr55n50.pdf Size:75K _ixys

IXFR58N20Q
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VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs Ω IXFR 50N50 500 V 43 A 100 mΩ Ω Ω Ω ISOPLUS247TM Ω IXFR 55N50 500 V 48 A 90 mΩ Ω Ω Ω (Electrically Isolated Back Surface) ≤ trr ≤ ≤ 250 ns ≤ ≤ Single Die MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VDSS TJ = 25°C to 150°C 500 V VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 500 V G VGS

Otros transistores... IXFR24N50 , IXFR24N50Q , IXFR26N50 , IXFR26N50Q , IXFR30N50Q , IXFR32N50Q , IXFR50N50 , IXFR55N50 , STF5N52U , IXFR80N20Q , IXFT10N100 , IXFT12N100 , IXFT12N100Q , IXFT13N80Q , IXFT14N100 , IXFT15N100 , IXFT15N80Q .

 

 
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