IXFR80N20Q Todos los transistores

 

IXFR80N20Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFR80N20Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 71 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO247

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IXFR80N20Q datasheet

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IXFR80N20Q

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N20Q VDSS = 200 V ISOPLUS247TM, Q-Class ID25 = 71 A (Electrically Isolated Back Surface) RDS(on) = 28mW N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V VGS Continuous

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IXFR80N20Q

PolarHVTM HiPerFET IXFR 80N50P VDSS = 500 V Power MOSFET ID25 = 45 A ISOPLUS247TM RDS(on) 72 m trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V ISOPLUS247 (IXFR) VDGR TJ = 25 C to

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IXFR80N20Q

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N10Q VDSS = 100 V ISOPLUS247TM, Q-Class ID25 = 76 A (Electrically Isolated Back Surface) RDS(on) = 15 mW N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 100 V VGS Cont

Otros transistores... IXFR24N50Q , IXFR26N50 , IXFR26N50Q , IXFR30N50Q , IXFR32N50Q , IXFR50N50 , IXFR55N50 , IXFR58N20Q , AON7408 , IXFT10N100 , IXFT12N100 , IXFT12N100Q , IXFT13N80Q , IXFT14N100 , IXFT15N100 , IXFT15N80Q , IXFT20N60Q .

 

 

 

 

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