IXFR80N20Q Todos los transistores

 

IXFR80N20Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFR80N20Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 71 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFR80N20Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  ixys
 ixfr80n20q.pdf pdf_icon

IXFR80N20Q

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N20Q VDSS = 200 VISOPLUS247TM, Q-ClassID25 = 71 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on) = 28mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 VVGS Continuous

 7.1. Size:149K  ixys
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IXFR80N20Q

PolarHVTM HiPerFETIXFR 80N50P VDSS = 500 VPower MOSFETID25 = 45 A ISOPLUS247TM RDS(on) 72 mtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VISOPLUS247 (IXFR)VDGR TJ = 25 C to

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 ixfr80n10q.pdf pdf_icon

IXFR80N20Q

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N10Q VDSS = 100 VISOPLUS247TM, Q-ClassID25 = 76 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on) = 15 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Cont

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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