IXFR80N20Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFR80N20Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 71 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 180 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 1100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXFR80N20Q
IXFR80N20Q Datasheet (PDF)
ixfr80n20q.pdf
HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N20Q VDSS = 200 VISOPLUS247TM, Q-ClassID25 = 71 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on) = 28mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 VVGS Continuous
ixfr80n50p.pdf
PolarHVTM HiPerFETIXFR 80N50P VDSS = 500 VPower MOSFETID25 = 45 A ISOPLUS247TM RDS(on) 72 mtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VISOPLUS247 (IXFR)VDGR TJ = 25 C to
ixfr80n10q.pdf
HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N10Q VDSS = 100 VISOPLUS247TM, Q-ClassID25 = 76 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on) = 15 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Cont
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
