STI11NM80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STI11NM80
Código: I11NM80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 43.6 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 750 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STI11NM80
STI11NM80 Datasheet (PDF)
stb11nm80t4 sti11nm80.pdf
STB11NM80, STF11NM80STI11NM80, STP11NM80, STW11NM80N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFETin DPAK, TO-220FP, IPAK, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Order codes VDSS RDS(on)*Qg IDmax3312STB11NM801DPAKTO-220FPSTF11NM80STI11NM80 800 V
stb11nm80 stf11nm80 sti11nm80 stp11nm80 stw11nm80.pdf
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sti11nm60nd.pdf
STD11NM60ND, STF/I11NM60NDSTP11NM60ND, STU11NM60NDN-channel 600 V, 0.37 , 10 A, FDmesh II Power MOSFETI2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeatures Order codes VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID33STD11NM60ND 10 A 1 21STF11NM60ND 10 A(1)DPAKIPAKSTI11NM60ND 650 V
std11nm60nd stf11nm60nd sti11nm60nd stp11nm60nd stu11nm60nd.pdf
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Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
