STI60N55F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STI60N55F3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK

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STI60N55F3 Datasheet (PDF)

..1. Size:622K st
sti60n55f3.pdf

STB60N55F3, STD60N55F3, STF60N55F3STI60N55F3, STP60N55F3, STU60N55F3N-channel 55 V, 6.5 m, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220TO-220FP STripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw332131STB60N55F3 55V

..2. Size:624K st
stb60n55f3 std60n55f3 stf60n55f3 sti60n55f3 stu60n55f3 stp60n55f3.pdf

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Liste

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