STI60N55F3 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги STI60N55F3. Основные параметры


   Наименование производителя: STI60N55F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для STI60N55F3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI60N55F3 даташит

 ..1. Size:622K  st
 sti60n55f3.pdf pdf_icon

STI60N55F3

STB60N55F3, STD60N55F3, STF60N55F3 STI60N55F3, STP60N55F3, STU60N55F3 N-channel 55 V, 6.5 m , 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET III Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 3 2 1 3 1 STB60N55F3 55V

 ..2. Size:624K  st
 stb60n55f3 std60n55f3 stf60n55f3 sti60n55f3 stu60n55f3 stp60n55f3.pdf pdf_icon

STI60N55F3

STB60N55F3, STD60N55F3, STF60N55F3 STI60N55F3, STP60N55F3, STU60N55F3 N-channel 55 V, 6.5 m , 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET III Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 3 2 1 3 1 STB60N55F3 55V

Другие MOSFET... STI33N60M2 , STI33N65M2 , STI360N4F6 , STI400N4F6 , STI40N65M2 , STI45N10F7 , STI57N65M5 , STI5N52U , IRF4905 , STI6N80K5 , STI76NF75 , STI90N4F3 , STK20N75F3 , STK22N6F3 , STK28N3LLH5 , STK38N3LLH5 , STK800 .

 

 
Back to Top

 


 
.