STK22N6F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK22N6F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 536 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: POLARPAK
Búsqueda de reemplazo de STK22N6F3 MOSFET
STK22N6F3 Datasheet (PDF)
stk22n6f3.pdf
STK22N6F3N-channel 60 V, 0.0055 , 22 A, PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) maxSTK22N6F3 60 V
stk22n05.pdf
STK22N05N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK22N05 50 V
stk22n06.pdf
STK22N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK22N06 60 V
Otros transistores... STI45N10F7 , STI57N65M5 , STI5N52U , STI60N55F3 , STI6N80K5 , STI76NF75 , STI90N4F3 , STK20N75F3 , AON7410 , STK28N3LLH5 , STK38N3LLH5 , STK800 , STK820 , STK822 , STK850 , STL100N10F7 , STL100NH3LL .
History: IRFY310C | 2SK3484-ZK | AP9620GM | 2N65G-TMS-T | 2N65L-TMS2-T | AONS850A70 | RF4E070GN
History: IRFY310C | 2SK3484-ZK | AP9620GM | 2N65G-TMS-T | 2N65L-TMS2-T | AONS850A70 | RF4E070GN
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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