STL12N3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL12N3LLH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT3.3X3.3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL12N3LLH5

STL12N3LLH5 Datasheet (PDF)

..1. Size:445K st
stl12n3llh5.pdf

STL12N3LLH5N-channel 30 V, 0.0079 , 12 A, PowerFLAT (3.3 x 3.3)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTL12N3LLH5 30 V

8.1. Size:460K st
stl12n65m2.pdf

STL12N65M2 N-channel 650 V, 0.62 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL12N65M2 650 V 0.75 5 A 48 W 1 Extremely low gate charge 23 Excellent output capacitance (COSS) profile 4 100% avalanche tested Zener-protected PowerFLAT 5x6 HVAp

8.2. Size:461K st
stl12n60m2.pdf

STL12N60M2 N-channel 600 V, 0.400 typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL12N60M2 600 V 0.495 6.5 A 52 W 1 Extremely low gate charge 23 Excellent output capacitance (COSS) profile 4 100% avalanche tested Zener-protected PowerFLAT 5x6 HV

8.3. Size:1374K st
stl12n65m5.pdf

STL12N65M5N-channel 650 V, 0.475 typ., 8.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTL12N65M5 710 V 0.530 8.5 A Outstanding RDS(on)*area1 Extremely large avalanche performance23 Gate charge minimized4TM Very low intrinsic capacitancePowerFLAT 5x6 HV 100% ava

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