Справочник MOSFET. STL12N3LLH5

 

STL12N3LLH5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL12N3LLH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для STL12N3LLH5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL12N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  st
stl12n3llh5.pdfpdf_icon

STL12N3LLH5

STL12N3LLH5N-channel 30 V, 0.0079 , 12 A, PowerFLAT (3.3 x 3.3)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTL12N3LLH5 30 V

 8.1. Size:460K  st
stl12n65m2.pdfpdf_icon

STL12N3LLH5

STL12N65M2 N-channel 650 V, 0.62 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL12N65M2 650 V 0.75 5 A 48 W 1 Extremely low gate charge 23 Excellent output capacitance (COSS) profile 4 100% avalanche tested Zener-protected PowerFLAT 5x6 HVAp

 8.2. Size:461K  st
stl12n60m2.pdfpdf_icon

STL12N3LLH5

STL12N60M2 N-channel 600 V, 0.400 typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL12N60M2 600 V 0.495 6.5 A 52 W 1 Extremely low gate charge 23 Excellent output capacitance (COSS) profile 4 100% avalanche tested Zener-protected PowerFLAT 5x6 HV

 8.3. Size:1374K  st
stl12n65m5.pdfpdf_icon

STL12N3LLH5

STL12N65M5N-channel 650 V, 0.475 typ., 8.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTL12N65M5 710 V 0.530 8.5 A Outstanding RDS(on)*area1 Extremely large avalanche performance23 Gate charge minimized4TM Very low intrinsic capacitancePowerFLAT 5x6 HV 100% ava

Другие MOSFET... STL105NS3LLH7 , STL10N60M2 , STL110N10F7 , STL110NS3LLH7 , STL11N4LLF5 , STL11N65M5 , STL120N2VH5 , STL120N4F6AG , IRFZ24N , STL12N60M2 , STL12N65M2 , STL12P6F6 , STL130N8F7 , STL13DP10F6 , STL13N60M2 , STL13N65M2 , STL15N65M5 .

History: 2SK1122 | KHB1D0N60I | FDWS9510L-F085 | AUIRLR3705Z | SWD040R03VLT | PSA13N50

 

 
Back to Top

 


 
.