STL20NM20N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL20NM20N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT6X5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL20NM20N

STL20NM20N Datasheet (PDF)

..1. Size:407K st
stl20nm20n.pdf

STL20NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088 - 20A PowerFLATULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTL20NM20N 200 V

9.1. Size:894K st
stl20dn10f7.pdf

STL20DN10F7Dual N-channel 100 V, 0.059 typ., 5 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island packageDatasheet - production dataFeatures1Order code VDS RDS(on) max ID4STL20DN10F7 100 V 0.067 5 A18 N-channel enhancement mode45 Lower RDS(on) x area vs previous generation 100% avalanche ratedPowerFLAT 5x6double isl

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: