STL20NM20N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STL20NM20N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL20NM20N
STL20NM20N Datasheet (PDF)
stl20nm20n.pdf

STL20NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088 - 20A PowerFLATULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTL20NM20N 200 V
stl20dn10f7.pdf

STL20DN10F7Dual N-channel 100 V, 0.059 typ., 5 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island packageDatasheet - production dataFeatures1Order code VDS RDS(on) max ID4STL20DN10F7 100 V 0.067 5 A18 N-channel enhancement mode45 Lower RDS(on) x area vs previous generation 100% avalanche ratedPowerFLAT 5x6double isl
Другие MOSFET... STL16N65M2 , STL17N65M5 , STL180N4LLF6 , STL18N60M2 , STL18N65M2 , STL18N65M5 , STL19N65M5 , STL20DN10F7 , IRFB31N20D , STL220N3LLH7 , STL22N65M5 , STL23NM50N , STL23NS3LLH7 , STL24N60M2 , STL260N3LLH6 , STL2N80K5 , STL30N10F7 .
History: SMN630LD | WNM6001 | WMJ26N60C4 | WSF40P04 | STL15N3LLH5 | WML099N10HGS | BSS84-7
History: SMN630LD | WNM6001 | WMJ26N60C4 | WSF40P04 | STL15N3LLH5 | WML099N10HGS | BSS84-7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet