STL24N60M2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL24N60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT8X8HV

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STL24N60M2 datasheet

 ..1. Size:1287K  st
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STL24N60M2

STL24N60M2 N-channel 600 V, 0.186 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID S(2) Bottom view S(2) S(2) STL24N60M2 650 V 0.21 18 A G(1) D(3) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation Low gate input resistance PowerFLAT

 8.1. Size:627K  st
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STL24N60M2

STL24NM60N N-channel 600 V, 0.200 , 16 A PowerFLAT (8x8) HV MDmesh II Power MOSFET Preliminary data Features VDSS @ RDS(on) Type ID S(3) Bottom view TJmax max S(3) S(3) G(1) STL24NM60N 650 V

Otros transistores... STL18N65M5, STL19N65M5, STL20DN10F7, STL20NM20N, STL220N3LLH7, STL22N65M5, STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STP65NF06, STL260N3LLH6, STL2N80K5, STL30N10F7, STL30P3LLH6, STL31N65M5, STL33N60M2, STL34N65M5, STL35N6F3